2019 Q2 Hynix produzirá memória de processo de 10nm de segunda geração

  Recentemente, a SK hynix revelou que a empresa aumentará sua produção de 10 nanômetros de primeira geração (ou seja, 1X nm) de DRAM e começará a vender sua segunda geração de 10 nanômetros (também conhecida como 1Y nm) na segunda metade do ano. ano. Memória. Acelerar a transição para a tecnologia de 10 nm permitirá que a empresa aumente a produção de DRAM, reduzindo custos e preparando a memória da próxima geração.

Os primeiros produtos fabricados com a tecnologia de produção SKYNCY 1Y nm serão os chips de memória DDR4-3200 de 8 Gb. O fabricante diz que pode reduzir em 20% o tamanho do chip de dispositivos DDR4 de 8 Gb e reduzir seu consumo de energia em 15% em comparação com dispositivos semelhantes fabricados com a tecnologia de fabricação de 1X nm. Além disso, o próximo chip 8GB DDR4-3200 da SK hynix tem duas melhorias importantes: um esquema de clock de 4 fases e uma tecnologia de controle de amplificador Sense.

Embora essas tecnologias sejam importantes até mesmo para a DDR4 este ano, diz-se que a SK hynix usará seu processo de fabricação de 1Y nm para fabricar DDR5, LPDDR5 e GDDR6 DRAM. Portanto, a Hynix deve atualizar sua tecnologia de fabricação de 10 nanômetros de segunda geração o mais rápido possível para se preparar para o futuro.