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Avanço! A Kioxia desenvolveu produtos de memória flash NAND de 170 camadas

O fabricante japonês de chips Kioxia desenvolveu aproximadamente 170 camadas de memória flash NAND e obteve essa tecnologia de ponta junto com a Micron e a SK Hynix.


O Nikkei Asian Review relatou que esta nova memória NAND foi desenvolvida em conjunto com a Western Digital, um parceiro dos EUA, e sua velocidade de gravação de dados é mais do que o dobro do produto principal atual da Kioxia (112 camadas).

Além disso, o Kioxia também instalou com sucesso mais células de memória em cada camada do novo NAND, o que significa que, em comparação com a memória de mesma capacidade, pode reduzir o chip em mais de 30%. Chips menores permitirão maior flexibilidade na construção de smartphones, servidores e outros produtos.

É relatado que Kioxia planeja lançar seu novo NAND na Conferência Internacional de Circuito de Estado Sólido em andamento, e espera-se que comece a produção em massa já no próximo ano.

Com o surgimento da tecnologia 5G e transmissão de dados em maior escala e mais rápida, o Kioxia espera atender à demanda relacionada a data centers e smartphones. No entanto, a competição neste campo se intensificou. Micron e SK Hynix anunciaram NAND de 176 camadas antes de Kioxia.

Para aumentar a produção de memória flash, a Kioxia e a Western Digital planejam construir uma fábrica de 1 trilhão de ienes (US $ 9,45 bilhões) em Yokkaichi, Japão, neste semestre. O objetivo é abrir as primeiras linhas de produção em 2022. Além disso, a Kioxia também adquiriu muitas fábricas ao lado da fábrica de Kitakami no Japão para que possa expandir a capacidade de produção conforme necessário no futuro.