Espera-se que a primeira linha de produção de wafer GaN de 8 polegadas da Samsung comece a produção em massa já no segundo trimestre

De acordo com um relatório do meio de comunicação sul-coreano The Elec, a primeira linha de produção de wafer de nitreto de gálio (GaN) de 8 polegadas da Samsung deverá entrar em produção em massa já no segundo trimestre de 2026, com receita inicial projetada para permanecer abaixo de 100 bilhões de won.

O relatório observa que a Samsung estabeleceu um ecossistema abrangente de soluções GaN que cobre tudo, exceto o design do chip, e possui a capacidade de produzir wafers epitaxiais GaN de forma independente.

Além disso, a Samsung planeja lançar operações para sua linha de fundição de semicondutores de potência de carboneto de silício (SiC) ainda este ano.A empresa possui capacidades ponta a ponta no segmento SiC, incluindo design, que pode complementar a tecnologia GaN em diferentes faixas de tensão.

Relatórios anteriores também revelaram que a Samsung investiu aproximadamente 100 a 200 mil milhões de won em equipamentos de processo avançados, incluindo os sistemas MOCVD da Aixtron, para apoiar o processamento de wafers de silício-gálio e nitreto de gálio.